産業部会は，真空技術に関する多様な情報を紹介することを目的として活動を続けて
おります．第234回となる6月定例部会は，新しい試みとして，前半にショートプレゼン
テーションを2件お願いしました．これは，かねてより要望のあったもので，皆様のご意
見をいただき，今後の定例部会に反映させる予定です．
　定例部会終了後には，毎回恒例となっております講師を囲んでの懇親会を開催いたし
ます．さらに深く突っ込んだディスカッションや情報交換の場としてご活用ください．
多数のご参加をお待ち申し上げます．


日　時：平成21年6月17日（水）14:00〜16:30
場　所：機械振興会館B3-1 号室（地下3 階）
参加費：無料

　　　　　　　　　　　　　　　ープログラムー

開会挨拶　　　　　　　　　（日本真空協会　産業部会長）　土岐和之　14:00〜14:10

１．超高真空ロボット，及びクリーン基板搬送装置の開発
　　（（株）ユニバーサルシステムズ　代表取締役社長）　高橋　　正　14:10〜14:40

　［講演要旨］

基板搬送中の「汚染元素・汚染物質」の吸着量の低減を目的に，ベーキング可能な「超高
真空・クリーン」基板搬送装置を開発しました．本開発も市販の磁気シールを使って位置
精度・再現性を実用レベルに維持してますが，「磁気シールを使った従来技術」に比べ，
同一レベルの真空度でもハイドロカーボンや酸素（CO2/CO/H2O）を低減することがで
きました．この開発には新知見・新技術は含みませんが，ロボットと超高真空チャンバの
自社での「一体設計・製作」で達成することができました．


２．真空放電用パルス電源の動向・ポテンシャル
　　　　　　　　　　　　（平和電源（株）　常務取締役）　林　　剛　14:40〜15:10
［講演要旨］

平和電源は直流安定化電源の専門メーカーで，真空放電用途としても数多くの実績
を持っております．特に昨今は様々なエンドユーザーから，直流だけではなく，パルス波
形を，バイアス用，スパッタ用，プラズマ励起用に使用する様々な要求があります．今回
はパルス電源としてのユーザー動向やそのメリット，ポテンシャルなどを述べさせていた
だきます．


　　　　　　　　　　　　　　　　　休　　憩　　　　　　　　　　　　15:10〜15:30


３．MBE法とMOCVD法によるIII族窒化物半導体薄膜の作製
　　　　　　　　　　　　　　　（日本工業大学　教授）　鈴木　敏正　15:30〜16:30
［講演要旨］

20世紀中には実現が不可能と言われた半導体による青色発光も，1990年代の中ごろには実
用化の域に達し，現在ではGaNを中心としたIII族窒化物半導体がLEDや半導体レーザ，高速
・高出力電子デバイスなどに応用されています．本講演では，MOCVD（有機金属気相成長
）法およびMBE（分子線エピタキシー）法によるIII族窒化物半導体を用いたLEDやHEMT（高
電子移動度トランジスタ）構造の作製の実際を，装置，成長モニタ，微傾斜サファイヤ基
板の使用による成長結晶の高品質化，Si基板上への成長，得られた薄膜の結晶性・光学特
性・電気特性の評価などを中心に紹介します．


　講演終了後，講師をお招きして懇親会（会費2,000円）を開催します．講師への質問，
相互の情報交換等，有意義なディスカッションができますので，こちらにも多数ご参加
下さい．

◎次回の開催予定：平成21年7月に見学会を開催する予定です．

申込み・問合せ先：日本真空協会事務局（荻野）
　　　　　　　　　〒105-0011 東京都港区芝公園3-5-8 機械振興会館306号室
　　　　　　　　　TEL:03-3431-4395　FAX:03-3431-5371
　　　　　　　　　E-mail:ofc-vsj@vacuum-jp.org